pHEMT相关论文
本论文利用0.13μmGaAsPHEMT工艺实现了一个Ka波段毫米波功率放大器的仿真设计.该放大器采用三级放大的拓扑结构,分别为增益放大级......
现代应用需求使半导体器件向高频高速方向发展,PHEMT以其高频高速低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制......
本次设计采用0.25 um GaAs E-Mode pHEMT工艺,利用ADS仿真软件设计了一款工作在2 GHz～4.2 GHz的MMIC低噪声放大器(Low Noise Amplif......
惠普公司通讯元件分部(加利福尼亚州纽瓦克市)的Antoni Niedzwieeki第一个发言。他综述了一种用于商用射频和微波元件制造中的测......
描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ
Describes the design and manufacture of 8 ......
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片......
亚里桑那凤凰城—— Motorola半导体产品部 ,RF Ga As电路的供应商已完全认证了增强型模式 ( E模式 )异质结构 FET晶片的加工。这......
The R D of Ga As power PHEMT s have been done in Nanjing Electronic DevicesInstitute in 2 0 0 0 .WC2 0 0 3high electron ......
PapersNo. PagePerspective of Solid State Electronics in New Century L IN Jinting 1 1……………………………………A 19......
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长......
南京电子器件研究所于 2 0 0 0年进行了 Ga As功率 PHEMT的研究开发 ,完成了“WC2 0 0 3型高电子迁移率功率晶体管”项目的设定和 ......
A 10 Gb/s OEIC(optoelectronic integrated circuit)optical receiver front-end has been studied and fabricated based on the......
United Monolithic Semiconductor 公司已研制成双频倍频器单片电路,可用于从军事到商业通信系统。芯片背部有 RF 和 DC 接地,简......
安捷伦科技为5～6 GHz无线局域网接入点(AP)、网卡(NIC)和固定无线应用推出一款E—PHEMT(增强型赝晶高电子迁移率晶体管)中等功率放......
Agilent Technologies公司推出其输出功率、动态范围和功率附加效率为最高的小型无引线塑封增强型赝晶高电子迁移率晶体管(E—pHE......
00565 A Balanced 2 Watt Compact PHEMT Power Amplifier MMIC for Ka-Band Applications/S. Chen, E. Reese and K. S. Kong (T......
Mitsubishi Electric研制出了一种用于汽车雷达用的76GHz MMIC芯片组。这种GaAs PHEMT芯片组包含一个三通道天线开关MMIC,五个发......
Hittite公司宣布推出型号为HMC462LP5、HMC463LP5、HMC464LP5和HMC465LP5用标准表面安装技术(SMT)封装的四款新的宽带GaAs PHEMT......
据报道,Agilent Technologies推出新系列毫米波、微波MMIC(AMMC)。新AMMC系列产品适用于DC～50GHz射频范围和10Gb～40Gb的通信应用。......
A kind of 2 GHz to 8GHz MMIC variable gain low noise amplifier chip,WFD0 0 2 0 ,was designed,and fabricated successfully......
直接接到全球通手机天线上的首只CMOS开关的问世可能对GaAs PHEMT RF开关市场是个威胁。开发上述CMOS开关的美国圣地亚哥的Peregri......
美国RF Micro Devices公司推出了一种四波段全球移动通信系统/通用分组无线业务 (GSM/QPRS)蜂窝手机用高集成发射组件(TXM)。这种......
TriQuint Semiconductor公司宣布开发出两个系列的十种分立功率 PHEMT器件,用于航天、数字无线电通信和无线基站所需的各种放大器......
Hittite Microwave Corporation推出了其型号为HMC-Cool的宽带低噪声放大器(LNA)组件。该组件适用于电子战/电子对抗(EW/ECM)、太......
通过不断在手机功率放大器领域壮大,以及夺取其他GaAs应用器件小厂商的市场份额,位于美国麻萨诸塞州Woburn的Skyworks Solutions公......
Mimix Broadband公司推出一种GaAs MMIC基频平衡混频器,该器件经优化后用作一种下变频器。这种混频器采用了0.15/μm栅长GaAs PHEM......
设计并流片制作了基于GaAsPHEMT工艺的Ka波段微波单片集成压控振荡器(MMICVCO).该VCO具有紧凑、宽电调谐带宽及高输出功率的特点.......
2月7日获悉,凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术,飞思卡尔半导体成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器......
据《Compound Semiconductor》2006年第8期报道,美国GaAs芯片制造商TriQuint公司与海军研究实验室签订了一项价值为3100万美元的合......
据《Wirelesstech》2006年第3期报道,安华高公司为IEEE802.11b/gWLAN设计的E PHEMT功率放大器以业内最低的工作电流实现了高线性输......
美国外延片开发商和半导体制造商EpiWorks公司在其香巴尼工厂安装新型MOCVD设备,扩大其6英寸HBT外延片的产量,年产量为5万片。该公......
介绍了增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法,并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数.利用ADS......
采用0·5μmGaAsPHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器(TIA).测量得到放大器-3dB带宽为7·5GHz,跨阻增益为45dBΩ......
据《Portable Design》2008年第7期报道,ANADIGICS公司开发了可降低平均功耗50%的HELP技术,应用于WCDMA功率放大器模块。该公司的......
据《Compound Semiconductor》2008年3/4期报道,TriQuint公司采用i线光刻工艺技术形成了新型的GaAs工艺,这项名为TQP13-N的工艺能......
据《Compound Semiconducotr》2009年第1/2期报道,ANADIGICS基于BiFET工艺成功设计出新一代HELPTM功放。Bi FET工艺技术采用InGaP-......
This paper presents the design of a 26-40 GHz monolithic doubly-balanced mixer for high-speed wireless communication. A ......
Hittite公司发布了一个SMT封装的pHEMT MMIC驱动放大器,满足DC到10GHz范围的蜂窝通信/4G、宽带、军事或者固定无线设备的高线性应......
《信学技报》(日)2010年109-431期报道了2009年欧洲微波会议的大致情况,除会议概况外,涉及的技术内容包含无源电路、天线、传输、......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上......
This paper presents the design and performance of a broadband millimeter-wave frequency doubler MMIC using active 0.15μ......
High linearity 5.2-GHz power amplifier MMIC using CPW structure technology with a linearizer circuit
A built-in linearizer was applied to improve the linearity in a 5.2-GHz power amplifier microwave monolithic integrated ......
